研究設備(Equipments)

(I)本實驗室奈米電子元件電性量測用設備包含如下(Equipments for Electrical Characteristics Measurement)：

(1) LCR meter: HP 4284
(2) I-V measurement: HP5270B
(3) Switch: HP E5250A
(4) ICS 3.0 control software
(5) Probe station
(6) Electrical properties measurement system
(7) 150W-Solar simulator
(8) Arbitrary waveform generator
(9) Digital storage oscilloscope
(10) Photometer/radiometer
(11) HP 81110A
(12) Microscope
(13) Tensile testing machine
(14) 4-point probe

(II)本實驗室奈米電子元件製程用設備:包含如下(Equipments for Fabrications of nano- and micro-devices)：

(1) Clean room (Class 10000)
(2) Sputter
(3) Screen printer
(4) Hot plate
(5) Spin coater
(6) Electronic balances
(7) Mixer
(8) Double side furnace tube
(9) Wet bench (DI water)
(10) Rapid thermal annealing
(11) Thermal coater (Evaporation)
(12) Electroplating
(13) Belt furnace
(14) Laser scribe (1064 nm)

(III)其它奈米元件製程用設備：

付費使用台灣半導體中心相關製程設備如下所列，本實驗室碩士班一年級研究生必須報名台灣半導體中心(新竹或台南NDL)在暑假或寒假所舉辦的「積體電路製程技術訓練班」及「積體電路製程設備見習班」，並通過考核取得證書，再向台灣半導體中心(台南NDL) 報名「工安訓練」且須通過考試，取得進入台灣半導體中心磁卡進入製程實驗室(台南(台灣半導體中心))進行下列各儀器考核，各單項設備(約略15項機台)亦須經過儀器自我操作訓練及考核方得使用該儀器，然後選定研究主題進行元件製造及電性量測，印證元件製程參數可行性：
台灣半導體中心網址: https://www.tsri.org.tw/main.jsp/
台灣半導體中心製程設備一覽表(詳細亦可參考上述網站)：
(1) 電漿輔助式化學氣相沈積&感應耦合式蝕刻系統(PECVD & ICP).。
(2) 電子顯微鏡(SEM)。
(3) 濕式蝕刻清洗系統(Wet bench)。
(4) 反應式離子蝕刻系統(STS)。
(5) 金屬濺鍍系統(Sputter)。
(6) 金屬薄膜電阻量測儀(M-gague)。
(7) 薄膜測厚儀(n&k analyzer)。
(8) 自動化光阻塗佈及顯影系統(Track)。
(9) 光罩對準曝光系統(Mask aligner)。
(10) 光學顯微鏡(OM)。
(11) 高溫及低壓爐管(Horizontal Furnace)。
(12) 光阻去除及濕蝕刻化學槽(PR strip & wet etching chemical hood)。
(13) 破片光阻旋轉塗佈機(Spin coater)。
(14) 熱蒸鍍機(Thermal coater)。
(15) 光罩對準曝光機(Mask aligner MJB3)。
(16) 表面輪廓量測儀(Profile meter)。
(17) 鍍金機(Gold Sputter)。